DRAM默示动态随机存与存储器。那是一种以电荷模式停行存储的半导体存储器。
DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器构成。数据存储正在电容器中。电容器会由于漏电而招致电荷损失，因此DRAM器件是不不乱的。为了将数据保存正在存储器中，DRAM器件必须有轨则地停行刷新。
而SRAM是静态的，因而只有供电它就会保持一个值。正常而言，SRAM 比DRAM要快，那是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管构成，而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器构成。相比而言，DRAM比SRAM每个存储单元的老原要高。照此推理，可以断定正在给定的牢固区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。
SRAM屡屡用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率；而DRAM屡屡用于PC中的主存储器，因为其领有更高的密度。
